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      1. 產品導航
        當前位置: 首頁 產品中心 可靠性測試設備 動態老化測試系統 動態老化測試系統 高溫高濕動態反偏老化測試系統 (DH3TRB2000)

        高溫高濕動態反偏老化測試系統(DH3TRB2000)

        該系統針對SiC MOSFET進行高溫高濕動態反偏老化測試,測試方法參考AQG324。每個試驗區域可進行最高10個工位的測試,工位具備獨立脈沖源配置??蔀槠骷峁藴?5℃/85%RH試驗環境。具有試驗器件短路脫離試驗功能,可自動將故障器件脫離老化試驗回路,不影響其他器件的正常試驗。

        功能
        • nA級別的漏電流檢測精度
        • 整機30s的全工位數據刷新
        • 獨特高壓抑制電路,器件瞬間擊穿不影響其他工位老化進程
        • 可定制工位老化電壓獨立控制功能,實現單工位老化超限別除
        • 充分的實驗員人體安全考慮設定
        產品特性

        試驗溫度

        室溫+10℃~125℃

        試驗濕度

        10%RH-98%RH

        試驗方法

        VGs,off = VGS,min and VGS on = VGS,max

        老化測試區

        16區

        單區工位

        8工位

        電壓范圍

        50V-1200V

        電壓精度

        檢測誤差:±1%±2LSB

        脈沖控制

        1.脈沖頻率(方波):10KHz~ 50kHz 精度:2%±2LSB
        2.方波占空比20%-80%; 精度:
        ±2%
        3.電壓上升率 (Dw/Dt) ≥30W/ns
        4.電壓過沖<15%

        VGS電壓測控范出

        根器件定制

        VGS精度:1%±0.2V

        VGS過沖:≤10%

        漏電流檢測

        檢測范圍:100nA~30mA

        精度:

        第一檔0.1uA -1mA 分牌率0.1uA 漏電流測量誤差1%±2LSB

        第二檔1mA~30mA 分辨率1uA 漏電流測量誤差:1%±2LSB

        整機供電

        三相AC380V±38V

        整機重量

        1200KG(典型)

        整機尺寸

        1650mm(w)x1750mm(D)x1950mm(H)

        適用標準

        AEC-Q102 AQG324 JESD22-A101

        適用器件

        適用于MOS管、二極管、三極管、IGBT模塊、PIM模塊、可控硅等,SIC、GAN

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