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      1. 產品導航
        當前位置: 首頁 產品中心 可靠性測試設備 動態老化測試系統 動態老化測試系統 高溫動態柵偏老化測試系統 (DHTGB2010)

        高溫動態柵偏老化測試系統(DHTGB2010)

        該系統針對第三代SiC MOSFET具有動態柵偏老化測試能力,每塊試驗區可獨立老化測試12工位,獨立12路可配置脈沖,測試柵極漏電流相互之間不干擾??蔀槠骷峁┦覝?10°C~200°C的試驗溫度。具有試驗器件短路脫離試驗功能,可自動將故障器件脫離老化試驗回路,不影響其他器件的正常試驗。

        功能
        • 高速dv/dt>1V/ns
        • nA級漏電流測試
        • 閱值電壓測試
        • 可根據不同器件封裝、功率等要求,定制專用老化測試板
        • 充分的實驗員人體安全考慮設定
        產品特性

        試驗溫度

        室溫+10℃~200℃(熱板形式加熱)

        老化測試區

        8區(可擴容)

        單區工位

        12(典型)

        試驗方法

        VDs =0VaVGS,off = VGS,min,recom and VGS,on =VGS,max

        VGS電壓控制檢測

        試驗控制范圍:±35V

        檢測誤差:±1%±2LSB:電壓分辨率:0.01V

        沖控制

        1.脈沖頻率(方波):15KHz~500kHz; 精度:2%±2LSB

        2.方波占空比5%~95%; 精度:±2%

        3.動態DGS試驗時,柵極電壓斜率可達dv/dt>1V/ns(Ciss<5nF)

        4.電壓過沖<10% (測試電壓幅度大于25V)

        閥值電壓VGSTH

        1.VGS電壓測控范圍:1~10V

        2.分辨率為0.01V,精度:1%±0.01V

        IGS漏電流檢測

        檢測范圍:1nA-99.9uA

        第一檔1nA -99nA 分辨率1nA 漏電流測量誤差:1%±2LSB

        第二檔100nA -999nA 分辨率10nA 漏電流測量誤差:1%±2LSB

        第三檔1uA~99.9uA 分辨率100nA 漏電流測量誤差:1%±2LSB

        整機供電

        三相AC380V±38V

        整機重量

        700KG

        整機尺寸

        800mm(w)x1400mm(D)x1950mm(H)

        適用標準

        AEC-Q101 AEC-Q102 AQG324 JESD22-A101

        適用器件

        可對半導體分立器件(SiC MOSFET單管及模塊)進行高溫動態柵偏試驗

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