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      1. 產品導航

        功率器件動態老化系統(DHTOL2000)

        該系統可對MOSFET器件及第三代SiC、GaN器件進行動態老化和測試,老化過程中實時監測被測器件的峰值電流、工作電壓、導通電阻,并根據需要記錄老化試驗數據,導出試驗報表。

        功能
        • 高頻動態電壓、電流老化
        • 整機60s的全工位數據刷新
        • 獨特保護電路,單位器件擊穿不影響其他工位老化進程
        • 可定制區位老化電壓獨立控制功能,實現單工位老化超限剔除
        產品特性

        試驗溫區

        1 個

        試驗溫度

        室溫

        老化試驗區

        32區(16/32區可選)

        單區工位數

        20(典型)

        老化電壓范圍

        0~650V、精度:±(2%+0.1V)

        電流檢測范圍

        0~1A、精度:±(2%+0.05A)

        脈沖頻率

        50KHz~200kHz、精度:1%±2LSB

        占空比

        30%~70%、精度:2%

        導通電阻Rds(on)

        30mΩ~ 5Ω、精度:10%

        整機供電

        三相AC380V±38V

        最大功率

        25KW(典型)

        整機重量

        1100KG(典型)

        整機尺寸

        2075mm(W)×1350mm(D)×2020mm(H)

        適用標準

        GJB128 MIL-STD-750D AEC-Q101 AQG324 JESD22

        適用器件

        適用于各種大中小功率MOSFET管器件及第三代SiC、GaN器件

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